功率半導體穩定性測試

新材料帶來新的認證挑戰

電動車的普及帶動了對高效率電力電子裝置的需求。高效能用途已經從矽晶片大幅轉向寬能隙，但 SiC 與 GaN 功率半導體卻為穩定性測試與認證帶來了新的挑戰。必須採用新的應用導向動態測試方式，才能模擬實際條件並偵測新的故障影響。工程師在符合 AQG 324、AECQ 與 JEDEC JC-70 等產品認證標準時會遇到許多障礙。

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享有最新測試技術的優勢

NI 身為功率半導體動態測試的技術領導者致力於滿足不斷變化的產業需求。透過豐富的經驗以及與客戶、學術界以及 ECPE AQG 324 與 JEDEC JC-70 等產業組織的合作，我們的目標是透過定義測試標準為未來的行動安全做出貢獻。我們的功率半導體穩定性圓桌會議 (Power Semiconductor Reliability Round Table) 為知識交流與產業發展提供寶貴的平台。

焦點解決方案

功率半導體穩定性測試 DGS

碳化矽 (SiC) 與氮化鎵 (GaN) 功率半導體必須採用新的動態測試方法，因為無法預見的寬能隙材料故障機制會影響實際應用。動態閘極應力 (DGS) 測試能克服這個挑戰，並以更著重於應用面的方式超越靜態測試方法。

適用於 SiC 與 GaN 半導體的強化 DGS 測試

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用途導向測試

寬能隙元件的應用與認證方面的挑戰暴增。SiC 與 GaN 功率半導體會帶來新的故障效應，從而在測試方面帶來更多挑戰。DGS、動態 H3TRB 或 DRB 等動態測試更接近實際應用。這些測試有助於在元件進入量產卻落得召回命運之前，及早偵測到諸如漂移之類的錯誤。不過，就具體應用層面而言，這些測試也帶來新的挑戰。要將這些測試擴大運用於同批次測試裝置更大量的測試作業，並且準確擷取故障機制，以利開發出能發揮作用的模型，目前仍是一項艱鉅的任務。我們針對元件測試與驗證提供最新的測試方法與指引，讓您的功率半導體裝置確實保持安全與穩定性。