寬能隙元件的應用與認證方面的挑戰暴增。SiC 與 GaN 功率半導體會帶來新的故障效應，從而在測試方面帶來更多挑戰。DGS、動態 H3TRB 或 DRB 等動態測試更接近實際應用。這些測試有助於在元件進入量產卻落得召回命運之前，及早偵測到諸如漂移之類的錯誤。不過，就具體應用層面而言，這些測試也帶來新的挑戰。要將這些測試擴大運用於同批次測試裝置更大量的測試作業，並且準確擷取故障機制，以利開發出能發揮作用的模型，目前仍是一項艱鉅的任務。我們針對元件測試與驗證提供最新的測試方法與指引，讓您的功率半導體裝置確實保持安全與穩定性。