寬能隙功率半導體穩定性測試
以碳化矽 (SiC) 與氮化鎵 (GaN) 所構成的寬能隙 (Wide-bandgap) 功率半導體，必須採用針對特定用途特別設計的新式測試方法，因為傳統測試無法識別某些新式的故障作用。這類方法會影響實際用途，而根據 AQG 324 的定義，動態高濕高溫逆向偏差 (H3TRB) 或動態逆向偏壓 (DRB) 都能在驗證方面消除這項落差。
NI SET 動態 H3TRB 與 DRB 功率半導體測試系統
在恆溫恆濕環境中，DUT 會暴露於動態的汲極刺激源，且會因為電壓急升而出現高壓峰值。電壓改變會導致磁場快速變化，因而影響腐蝕作用。這個程序會讓 DUT 與絕緣材料加速劣化，最接近 DUT 的實際運作狀況。
這項測試是充分了解 SiC 與 GaN 離散元件或模組使用壽命的先決條件。動態 H3TRB/AC-HTC/DRB 測試系統的主要參數：
- 每個系統最多能容納 240 個 DUT 通道，Vds 與最高汲極電壓不超過 1500 V
- 支援單一 DUT 功能，包括漏電流量測、過電流保護以及電壓控制
- 支援 DUT-active 與 DUT-passive 測試模式，並採用全自動的測試程序
- 提供 0 Hz 至 500 kHz 的可設定輸出頻率，以及 25% 至 75% 的工作週期設定 (按 5% 遞增)
- 可於最高溫度 85 °C、最高相對濕度 85% 的環境條件下運作，也可進行 AC-HTC 之類的測試
解決方案優勢
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強化的測試條件，在動態應力評估中加入更多的溫度與濕度循環
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能迅速因應需求變化的彈性
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獨特的穩定性規範能因應太陽能產業對於穩定性的要求，這是其他測試做不到的
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AC-HTC 測試版本是為特殊用途而設計的，非必要條件
功率半導體劇烈變化：DRB (動態反向偏壓)
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NI 合作夥伴網路為全球社群，由頻域、應用與整體測試開發專家組成，並與 NI 密切合作，以滿足工程社群的需求。NI 合作夥伴是值得信賴的解決方案業者、系統整合商、顧問、產品開發人員，以及服務與銷售通道專家，擁有涵蓋諸多產業和應用領域的豐富技能。
在應用生命週期期間，NI 都會與您密切合作，並提供訓練、技術支援、諮詢與整合服務，以及維護方案。團隊可參與 NI 專屬與不同地區的使用者團體，以探索新技能，並透過線上與現場教育訓練來提高熟練度。