功率半导体可靠性测试
受益于最新测试技术
作为功率半导体动态测试领域的技术领导者，NI致力于满足行业日新月异的需求。借助丰富经验以及与客户、学术界和行业团体（如ECPE AQG 324和JEDEC JC-70）的协作，我们旨在通过定义测试标准为未来的出行安全做出贡献。我们的功率半导体可靠性圆桌会议为知识交流和行业进步提供了一个宝贵的平台。
解决方案推荐
功率半导体可靠性测试DGS
因为宽带隙材料中的未知故障机制会影响实际应用，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体需要新的动态测试方法。动态栅极应力(DGS)测试弥补了这一差距，优于静态测试方法，具有更强的应用针对性。
SiC和GaN半导体的增强型DGS测试
面向应用的测试
宽带隙元器件使用和认证挑战呈指数级增长。SiC和GaN功率半导体出现新的故障影响，从而带来了额外的测试挑战。DGS、动态H3TRB或DRB等动态测试更接近实际应用。这些测试有助于在元器件投入批量生产并出现召回事件之前的早期阶段检测到漂移等故障。然而，这也为具体实施带来了新的挑战。扩大测试批量范围并准确捕捉故障机制以开发有效的模型仍具挑战性。我们为元器件测试和认证提供最新的测试方法及其实施指南，以确保功率半导体器件的安全性和可靠性。
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半导体、ADAS和电动汽车相辅相成
鉴于先进技术需求，汽车向电动汽车和ADAS的转变需要新的半导体测试，这促使供应商和原始设备制造商对供应链和策略进行修改。这一变化包括向宽带隙半导体过渡，以及严格测试标准的重要性。