宽带隙元器件使用和认证挑战呈指数级增长。SiC和GaN功率半导体出现新的故障影响，从而带来了额外的测试挑战。DGS、动态H3TRB或DRB等动态测试更接近实际应用。这些测试有助于在元器件投入批量生产并出现召回事件之前的早期阶段检测到漂移等故障。然而，这也为具体实施带来了新的挑战。扩大测试批量范围并准确捕捉故障机制以开发有效的模型仍具挑战性。我们为元器件测试和认证提供最新的测试方法及其实施指南，以确保功率半导体器件的安全性和可靠性。