宽带隙功率半导体的可靠性测试
对于由碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)制成的宽带隙功率半导体，传统测试无法识别某些新故障影响，因此需要针对特定应用定制新测试方法。由于这些故障对实际应用有影响，因此根据AQG 324的定义，通过动态高湿高温反向偏置(H3TRB)或动态反向偏置(DRB)来弥补这一差距。
NI SET动态H3TRB和DRB功率半导体测试系统
在恒温恒湿的环境下，DUT将受到动态漏极激励，电压快速上升并达到高压峰值。电压偏移会导致磁场的快速变化从而造成腐蚀。该过程会加速DUT的劣化，也可能加速绝缘材料的劣化，并且该过程最接近DUT的实际运行条件。
该测试是对SiC和GaN离散组件或模块的使用寿命进行可靠说明的前提。动态H3TRB/AC-HTC/DRB测试系统的关键参数：
- 每个系统最多可容纳240个DUT通道，Vds和最大漏极电压高达1500 V
- 支持对单个DUT进行泄漏电流测量、过流保护和电压控制
- 支持DUT有源和DUT无源测试模式以及全自动测试程序
- 提供0 Hz～500 kHz的可配置输出频率和25%～75%的占空比设置（按5%递增）
- 可在高达85 ℃和85%相对湿度的环境中运行，并提供AC-HTC等可选测试
NI解决方案的优势
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强化测试条件将其他温度和湿度循环纳入动态应力评估中
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可快速灵活地满足不断变化的需求
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独特的可靠合规性特别符合太阳能行业的可靠性要求，涵盖内容多于其它测试解决方案
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可选AC-HTC测试版本为特殊应用场景量身定制
《功率半导体过山车》：DRB（动态反向偏置）
利用NI生态系统，构建解决方案
NI提供了各种集成解决方案可供选择，满足您特定应用的需求。您可以将系统集成工作完全交给公司内部的集成团队，也可寻求NI以及遍布全球的NI合作伙伴的帮助，获取完整的系统解决方案。
NI合作伙伴网络
NI合作伙伴网络是一个由领域专家、应用专家和整体测试开发专家组成的全球社区，与NI紧密合作，全力满足工程界的需求。NI合作伙伴包含了解决方案提供商、系统集成商、顾问、产品开发人员以及服务和销售渠道专家，他们在诸多行业和应用领域都有着丰富的经验，值得您信赖。
服务与支持
在应用的整个生命周期中，NI将与客户携手同行，随时提供培训、技术支持、咨询和集成服务以及维护计划。您的团队可以参与到NI不同地区的用户组，从而获取新技能，也可通过在线培训和面授培训来提高自身的技能水平。