使用DGS测试确定新的故障影响

动态栅极应力测试可帮助工程师验证SiC和GaN器件。

 

  • 确定并仿真传统测试方法不可见的故障影响
  • 使测试流程更加贴近实际应用,并向客户提供准确声明
  • 使用快速电压偏移来激励栅极的故障机制
  • 原位测量确定相关参数,以显示动态栅极应力对栅极氧化物的长期影响
  • 全自动测试可满足行业的扩展需求,并为深入数据分析提供详细报告

​NI SET DGS功率半导体测试系统

  • DGS测试系统将行业的扩展需求转换为自动化动态测试,强调快速适应变化需求的灵活性。

  • 除激励外,DGS测试系统还提供多个原位测量,以确定规定时间段内的相关参数。 

  • 原位测量可有效显示动态栅极应力对栅氧化物的长期影响,并支持您为客户提供准确声明。

NI解决方案优势

《功率半导体车》:是否漂移?(DGS)

半导体测试挑战

副总裁兼技术负责人Frank Heidemann解释了如何通过电压变化对栅极施加应力以产生陷阱效应,从而在宽带隙半导体中引起Vth和RDS(on)的漂移,这对于揭示这些元器件的效率损失至关重要。

利用NI生态系统,构建解决方案

NI提供了各种集成解决方案供您选择,可满足您的特定应用需求。​您可以将系统集成工作完全交给公司内部的集成团队,也可寻求NI以及遍布全球的NI合作伙伴联盟的帮助,获取完整的一站式解决方案。

NI合作伙伴网络

NI合作伙伴网络是一个由领域专家、应用专家和整体测试开发专家组成的全球社区,与NI紧密合作,全力满足工程界的需求。NI合作伙伴包含了解决方案提供商、系统集成商、顾问、产品开发人员以及服务和销售渠道专家,他们在诸多行业和应用领域都有着丰富的经验,值得您信赖。

服务与支持

在应用的整个生命周期中,NI将与客户携手同行​,随时提供培训、技​术支持、咨询和集成服务以及维护计划。您的团队可以参与到NI不同地区的用户组,从而获取新技能,也可通过在线培训和面授培训来提高自身的技能水平。