와이드 밴드갭 구성요소의 사용과 검증 문제가 기하급수적으로 증가하고 있습니다. SiC 및 GaN 전력 반도체는 결함으로 인한 새로운 파급 효과를 불러오므로 테스트 문제가 추가로 발생합니다. DGS, 다이나믹 H3TRB 또는 DRB와 같은 다이나믹 테스트는 실제 사용 분야에 더 가깝습니다. 이러한 테스트는 구성요소가 양산을 시작해 리콜 문제가 발생하기 전 초기 단계에서 편차와 같은 결함을 감지하는 데 도움이 됩니다. 하지만 구체적인 구현 시 새로운 과제를 안겨주기도 합니다. 이러한 테스트를 더 큰 배치로 확장하고 실패 메커니즘을 정확하게 캡처하여 효과적인 모델을 개발하는 것은 여전히 어려운 일입니다. NI는 전력 반도체 디바이스의 안전성과 신뢰성을 보장하기 위해 구성요소 테스트 및 검증을 위한 최신 테스트 방법과 구현에 대한 지침을 제공합니다.