전력 반도체 신뢰성 테스트

새로운 재료로 인해 발생하는 새로운 검증 문제

전기 자동차의 급증으로 보다 효율적인 전력 전자 장치에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 고성능 분야에서는 실리콘에서 와이드 밴드갭으로 크게 변화하고 있지만, SiC 및 GaN 전력 반도체는 신뢰성 테스트 및 검증에 새로운 과제를 안겨줍니다. 실제 조건을 시뮬레이션하고 결함으로 인한 새로운 파급 효과를 감지하려면 사용 분야에 특화된 새로운 동적 테스트 방법이 필요합니다. 엔지니어는 제품 검증을 위해 AQG 324, AECQ 및 JEDEC JC-70과 같은 표준을 충족하는 데 어려움을 겪고 있습니다.

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전력 반도체 신뢰성 테스트 DGS

탄화규소 (SiC) 및 질화갈륨 (GaN) 전력 반도체는 실제 사용에 영향을 미치는 와이드 밴드갭 물질의 보이지 않는 결함 메커니즘 때문에 새로운 다이나믹 테스트 방법이 필요합니다. 다이나믹 게이트 스트레스 (DGS) 테스트는 이러한 갭을 메워 사용 분야에 중점을 둔 정적 테스트 방법을 능가합니다.

SiC 및 GaN 반도체에 대해 향상된 DGS 테스트

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사용 분야에 특화된 테스트

와이드 밴드갭 구성요소의 사용과 검증 문제가 기하급수적으로 증가하고 있습니다. SiC 및 GaN 전력 반도체는 결함으로 인한 새로운 파급 효과를 불러오므로 테스트 문제가 추가로 발생합니다. DGS, 다이나믹 H3TRB 또는 DRB와 같은 다이나믹 테스트는 실제 사용 분야에 더 가깝습니다. 이러한 테스트는 구성요소가 양산을 시작해 리콜 문제가 발생하기 전 초기 단계에서 편차와 같은 결함을 감지하는 데 도움이 됩니다. 하지만 구체적인 구현 시 새로운 과제를 안겨주기도 합니다. 이러한 테스트를 더 큰 배치로 확장하고 실패 메커니즘을 정확하게 캡처하여 효과적인 모델을 개발하는 것은 여전히 어려운 일입니다. NI는 전력 반도체 디바이스의 안전성과 신뢰성을 보장하기 위해 구성요소 테스트 및 검증을 위한 최신 테스트 방법과 구현에 대한 지침을 제공합니다.