탄화규소 (SiC)와 질화갈륨 (GaN)으로 만든 와이드 밴드갭 전력 반도체에는 구체적인 사용 분야에 따라 새로운 테스트 방법이 필요합니다. 실제 어플리케이션에 영향을 미치기 때문에, 이러한 성능검증 갭은 AQG 324의 정의에 따라 다이나믹 고온고습 역방향 바이어스 (H3TRB) 또는 다이나믹 역방향 바이어스 (DRB)로 해소되었습니다.
온도와 습도가 일정한 환경에서 DUT는 전압이 빠르게 상승하면서 전압 피크가 높은 동적 드레인 저항에 노출됩니다. 전압 변동은 자기장의 빠른 변화로 이어져 부식에 영향을 미칩니다. 이 절차는 DUT뿐만 아니라 절연 물질도 빠르게 열화시킬 수 있어 DUT의 실제 작동 조건과 가장 유사합니다.
이 테스트는 확실한 근거를 바탕으로 SiC 및 GaN 개별 소자 또는 모듈의 수명에 관해 진술하기 위한 전제 조건입니다. Dynamic H3TRB/AC-HTC/DRB 테스트 시스템의 주요 파라미터는 다음과 같습니다.
동적 응력 평가에 추가적인 온도, 습도 사이클을 통합하는 향상된 테스트 조건
변화하는 요구사항에 신속하게 대응할 수 있는 유연성
고유한 신뢰성 규정 준수는 특히 다른 테스트에서 다루지 않는 태양광 산업의 신뢰성 요구사항 충족
특수한 사용 분야 시나리오에 맞춘 AC-HTC 테스트 배리언트 옵션
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