와이드 밴드갭 전력 반도체의 신뢰성 테스트
탄화규소 (SiC)와 질화갈륨 (GaN)으로 만든 와이드 밴드갭 전력 반도체에는 구체적인 사용 분야에 따라 새로운 테스트 방법이 필요합니다. 실제 어플리케이션에 영향을 미치기 때문에, 이러한 성능검증 갭은 AQG 324의 정의에 따라 다이나믹 고온고습 역방향 바이어스 (H3TRB) 또는 다이나믹 역방향 바이어스 (DRB)로 해소되었습니다.
NI SET Dynamic H3TRB와 DRB 전력 반도체 테스트 시스템
온도와 습도가 일정한 환경에서 DUT는 전압이 빠르게 상승하면서 전압 피크가 높은 동적 드레인 저항에 노출됩니다. 전압 변동은 자기장의 빠른 변화로 이어져 부식에 영향을 미칩니다. 이 절차는 DUT뿐만 아니라 절연 물질도 빠르게 열화시킬 수 있어 DUT의 실제 작동 조건과 가장 유사합니다.
이 테스트는 확실한 근거를 바탕으로 SiC 및 GaN 개별 소자 또는 모듈의 수명에 관해 진술하기 위한 전제 조건입니다. Dynamic H3TRB/AC-HTC/DRB 테스트 시스템의 주요 파라미터는 다음과 같습니다.
- 시스템당 DUT 채널 최대 240개 수용, Vds 및 최대 드레인 전압 1500 V
- 누출 전류 측정, 과전류 보호 및 전압 제어를 포함한 단일 DUT 기능 사용
- 완전 자동화된 테스트 절차와 함께 DUT-액티브 및 DUT-패시브 테스트 모드 지원
- 0 Hz~500 kHz 범위에서 설정 가능한 출력 주파수와 25%~75% 범위에서 5%씩 증가하는 주기 점유율 설정 제공
- 최대 85°C 및 85% 상대 습도의 환경 조건에서 작동하며 AC-HTC와 같은 옵션 테스트 제공
솔루션 장점
-
동적 응력 평가에 추가적인 온도, 습도 사이클을 통합하는 향상된 테스트 조건
-
변화하는 요구사항에 신속하게 대응할 수 있는 유연성
-
고유한 신뢰성 규정 준수는 특히 다른 테스트에서 다루지 않는 태양광 산업의 신뢰성 요구사항 충족
-
특수한 사용 분야 시나리오에 맞춘 AC-HTC 테스트 배리언트 옵션
전력 반도체 롤러코스터: 다이나믹 역 바이어스 (DRB)
NI 에코시스템으로 솔루션 구축하기
NI는 어플리케이션별 요구사항에 맞게 사용자 정의된 다양한 솔루션 통합 옵션을 제공합니다. 완전한 시스템 제어를 위해 자체적인 사내 통합 팀을 활용해도 되고, NI와 전 세계적인 NI 파트너 네트워크의 전문성을 활용하여 턴키 솔루션을 구할 수도 있습니다.
NI 파트너 네트워크는 도메인, 어플리케이션 및 전체 테스트 개발 전문가로 구성된 글로벌 커뮤니티로, 엔지니어링 커뮤니티의 요구사항을 충족시키기 위해 NI와 긴밀히 협력합니다. NI 파트너는 신뢰할 수 있는 솔루션 제공업체, 시스템 통합업체, 컨설턴트, 제품 개발자, 실력 있는 서비스 및 영업 채널 전문가들로 구성되어 있으며, 이들은 광범위한 산업 및 어플리케이션 영역에 분포되어 있습니다.
NI는 어플리케이션 수명 주기 전반에 걸쳐 고객과 협력하여 교육, 기술 지원, 컨설팅 및 통합 서비스, 유지 관리 프로그램을 제공합니다. 고객은 NI 특정 사용자 그룹과 지역별 사용자 그룹에 참여하여 새로운 기술을 접할 수 있으며 온라인과 방문 교육으로도 기술을 습득할 수 있습니다.