전력 반도체 디바이스 테스트 및 검증

검증 랩의 엔지니어는 새로 설계된 전력 반도체 DUT에 대한 광범위한 데이터를 수집하여 장애를 감지하고 디바이스를 검증합니다. 디바이스가 검증되면 엔지니어는 생산 과정에서 DUT의 높은 품질을 유지해야 하며, 세세한 부분보다는 처리량에 더 집중해야 합니다. 반도체 테스트 및 검증 솔루션은 다음 요구사항을 충족해야 합니다.

 

어플리케이션 요구사항

 

  • 완전 자동화된 통합형 읽기 기능, 특성화, 단일 DUT 템퍼링, 온도 제어와 같은 기능 테스트(검증 과정에서 중요한 인사이트를 얻는 데 필수적임)
  • DUT 채널의 확장성과 좁은 공간에서 대용량 DUT를 테스트할 수 있는 기능(진행 중인 프로덕션에서 DUT를 재검증하는 데 매우 중요함)
  • 검증 및 프로덕션 단계 둘 다에서 일관되고 정확하게 데이터를 수집하기 위한 테스트 장비의 높은 정밀도 및 신뢰성

H(3)TRB 및 HTGB 테스트 시스템

고성능 테스트 시스템:

  • 완전 자동화된 통합형 읽기/특성화(Rth, Vgs(th), Vds, Vf, Vbreakdown 등)와 관련해 장애가 발생하면 DUT 연결을 해제하고 간단하게 카드를 변경하여 기능 업그레이드
  • 전류 클램핑이 있는 전류 범위를 전류 범위의 ~130%까지 전환하고 래치된 DUT를 ~20ms 내에 비활성화
  • Tj에서 주위 온도 제어 기능으로 단일 DUT 템퍼링, 조정 정확도 최대+/- 0.25°C

대용량 테스트 시스템:

  • 확장 가능한 19" 랙에서 최대 960개 DUT 지원(80의 배수 개에 해당하는 DUT와 240의 배수에 해당하는 240의 환경 파라미터를 독립적으로 테스트 가능)
  • 모든 공통 오븐 및 기후 챔버와 접속
  • 최대 2000V, 4mA/DUT, +/- 40V의 게이트 전압을 처리하는 HTGB의 소스 및 게이트 전류 측정

솔루션의 장점

고성능 및 대용량 테스트 시스템은 다양한 테스트 기능, 고전압 및 전류 옵션, 여러 DUT를 독립적으로 관리할 수 있는 기능을 통해 확장 가능하고 유연한 테스트 역량을 제공하므로 정확하고 안정적인 결과를 얻을 수 있습니다.

HTBG 및 H3TRB 테스트 수행 시 고려해야 할 사항 보기

절연 배리어 테스트를 위한 H3TRB

NI의 전력 반도체 연구 부문 책임자인 Gabriel Lieser는 HTGB 및 H3TRB 테스트에 대해 통찰력 있는 제공합니다. 특히 와이드 밴드갭 구성요소에 대해 이러한 테스트를 수행할 때 중요하게 고려해야 할 사항에 대해 설명하고, 최종 제품에서 다양하게 적용해 보는 것의 중요성을 강조합니다.

NI 에코시스템으로 솔루션 구축

NI는 어플리케이션별 요구사항에 맞게 사용자 정의된 다양한 솔루션 통합 옵션을 제공합니다. 완전한 시스템 제어를 위해 자체적인 사내 통합 팀을 활용해도 되고, NI와 전 세계적인 NI 파트너 네트워크의 전문성을 활용하여 턴키 솔루션을 구할 수도 있습니다.

NI 파트너 네트워크

NI 파트너 네트워크는 도메인, 어플리케이션 및 전체 테스트 개발 전문가로 구성된 글로벌 커뮤니티로, 엔지니어링 커뮤니티의 요구사항을 충족시키기 위해 NI와 긴밀히 협력합니다. NI 파트너는 신뢰할 수 있는 솔루션 제공업체, 시스템 통합업체, 컨설턴트, 제품 개발자, 실력 있는 서비스 및 영업 채널 전문가들로 구성되어 있으며, 이들은 광범위한 산업 및 어플리케이션 영역에 분포되어 있습니다.

서비스 및 지원

NI는 어플리케이션 수명 주기 전반에 걸쳐 고객과 협력하여 교육, 기술 지원, 컨설팅 및 통합 서비스, 유지 관리 프로그램을 제공합니다. 고객은 NI 특정 사용자 그룹과 지역별 사용자 그룹에 참여하여 새로운 기술을 접할 수 있으며 온라인과 방문 교육으로도 기술을 습득할 수 있습니다.

H(3)TRB 및 HTGB 테스트 시스템 브로슈어​

​상세한 스펙, 종합적인 구성요소 정보 등은 브로슈어에서 확인할 수 있습니다. 확장 가능한 고성능 시스템과 대용량 테스트 시스템에 대해 알아보십시오.