DGS 테스트를 사용하여 결함으로 인한 새로운 파급 효과 파악
다이나믹 게이트 스트레스 테스트는 엔지니어가 SiC 및 GaN 디바이스를 검증하는 데 도움이 됩니다.
- 기존의 테스트 방법으로는 확인할 수 없는 결함의 파급 효과를 파악하여 시뮬레이션
- 테스트 절차를 실제 사용 분야에 더욱 유사하게 준비하여 고객에게 정확한 설명 제공
- 빠른 전압 변화를 활용하여 게이트에서 결함 메커니즘 시뮬레이션
- 현장 측정으로 관련 파라미터를 결정하여 다이나믹 게이트 스트레스가 게이트 산화막에 미치는 장기적인 효과 확인
- 완전 자동화된 테스트는 산업계의 확장된 요구 사항을 처리하고 추가 데이터 분석을 위한 자세한 보고 제공
NI SET DGS 전력 반도체 테스트 시스템
DGS 테스트 시스템은 업계의 확장된 요구사항을 자동화된 동적 테스트로 변환하여 변화하는 요구사항에 신속하게 적응할 수 있는 유연성을 강조합니다.
자극 외에도, DGS 테스트 시스템은 다양한 현장 측정을 제공하여 정의된 시간 주기에 따라 관련 파라미터를 결정합니다.
현장 측정은 동적 게이트 스트레스가 게이트 산화막에 미치는 장기적인 영향을 효율적으로 보여주기 때문에 고객에게 정확한 설명을 제공할 수 있습니다.
솔루션 장점
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20 °C~200 °C 범위의 핫/콜드 플레이트 온도에서 DUT를 최대 240개까지 지원합니다.
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최대 1.5 kV의 고전압 드레인 자극과 최대 1500 V의 최대 드레인 전압을 제공하며, 둘 다 소프트웨어로 설정할 수 있습니다.
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소프트웨어로 설정 가능한 전압 최대 ±30 V, 최대 1 V/ns의 높은 게이트 dV/dt 자극을 제공합니다.
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0 Hz~500 kHz 범위에서 설정 가능한 출력 주파수를 제공하며, 듀티 사이클 설정 범위는 25%~75%이며, 5% 간격으로 설정할 수 있습니다.
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표적 평가를 위해 사용 분야별 게이트 드라이버를 사용하여 테스트할 수 있습니다.
전력 반도체 롤러코스터: 편차가 있습니까? (DGS)
와이드 밴드갭 반도체 테스트의 과제
부사장 겸 기술 책임자인 Frank Heidemann이 전압 변화로 게이트에 스트레스를 가해 트래핑 효과(trapping effect)를 줘 와이드 밴드갭 반도체에서 Vth와 RDS(on) 편차를 일으키는 방법을 설명합니다. 이 방법은 구성요소에서 효율성 손실을 밝히는 데 중요합니다.
NI 에코시스템으로 솔루션 구축
NI는 어플리케이션별 요구사항에 맞게 사용자 정의된 다양한 솔루션 통합 옵션을 제공합니다. 완전한 시스템 제어를 위해 자체적인 사내 통합 팀을 활용해도 되고, NI와 전 세계적인 NI 파트너 네트워크의 전문성을 활용하여 턴키 솔루션을 구할 수도 있습니다.
NI 파트너 네트워크는 도메인, 어플리케이션 및 전체 테스트 개발 전문가로 구성된 글로벌 커뮤니티로, 엔지니어링 커뮤니티의 요구사항을 충족시키기 위해 NI와 긴밀히 협력합니다. NI 파트너는 신뢰할 수 있는 솔루션 제공업체, 시스템 통합업체, 컨설턴트, 제품 개발자, 실력 있는 서비스 및 영업 채널 전문가들로 구성되어 있으며, 이들은 광범위한 산업 및 어플리케이션 영역에 분포되어 있습니다.
NI는 어플리케이션 수명 주기 전반에 걸쳐 고객과 협력하여 교육, 기술 지원, 컨설팅 및 통합 서비스, 유지 관리 프로그램을 제공합니다. 고객은 NI 특정 사용자 그룹과 지역별 사용자 그룹에 참여하여 새로운 기술을 접할 수 있으며 온라인과 방문 교육으로도 기술을 습득할 수 있습니다.
NI 파트너는 NI와 별개인 독립적 사업체로, 대리점 또는 합작 투자 관계가 없으며 NI와그 어떤 사업적 관련도 없습니다.