ワイドバンドギャップコンポーネントの使用と認定の課題は急激に増加しています。SiCおよびGaNパワー半導体は、新しい障害の影響をもたらすため、テストに追加の課題が生じます。DGS、ダイナミックH3TRB、DRBなどのダイナミックテストは、実際のアプリケーションにより近いものです。これらのテストは、コンポーネントが量産されリコールが発生する前の、早い段階でドリフトなどの障害を検出するのに役立ちます。しかし、具体的な実装には新たな課題も生じます。これらのテストを大規模なバッチ用に拡張し、障害メカニズムを正確に把握して効果的なモデルを開発することは依然として困難です。NIはパワー半導体デバイスの安全性および信頼性を確保するために、コンポーネントテストおよび認定のための最新のテスト方法と実装に関するガイダンスを提供します。