パワー半導体信頼性テスト

新素材によって生じる新たな認定の課題

電気自動車の急増により、より効率的なパワーエレクトロニクスの需要が高まっています。高性能アプリケーションではシリコンからワイドバンドギャップへの大規模な移行が進んでいますが、SiCおよびGaNパワー半導体は信頼性テストと検証において新たな課題が生じています。実際の条件をシミュレーションし、新しい障害の影響を検出するには、アプリケーション指向の新しいダイナミックテスト手法が必要です。エンジニアは、AQG 324、AECQ、JEDEC JC-70などの製品認定基準を満たすという困難に直面しています。

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最新のテストテクノロジーを活用する

NIは、パワー半導体のダイナミックテストのテクノロジーリーダーとして、業界の進化するニーズに対応するために取り組んでいます。NIの持つ豊富な知識、顧客、学会、ECPE AQG 324やJEDEC JC-70などの業界団体とのコラボレーションを活用して、テスト基準を定義することで、モビリティの将来の安全性に貢献することを目指しています。NIのパワー半導体信頼性円卓会議は、知識の交換と業界の発展のための貴重なプラットフォームを提供します。

注目のソリューション

パワー半導体信頼性テスト (DGS)

炭化ケイ素 (SiC) および窒化ガリウム (GaN) パワー半導体は、ワイドバンドギャップ材料の目に見えない障害メカニズムが実際のアプリケーションに影響を及ぼすため、新しいダイナミックテスト方法が必要です。動的ゲート応力 (DGS) テストは、このギャップを埋め、アプリケーションに重点を置いた静的テスト方法より優れています。

SiCおよびGaN半導体向けに強化されたDGSテスト

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アプリケーション指向テスト

ワイドバンドギャップコンポーネントの使用と認定の課題は急激に増加しています。SiCおよびGaNパワー半導体は、新しい障害の影響をもたらすため、テストに追加の課題が生じます。DGS、ダイナミックH3TRB、DRBなどのダイナミックテストは、実際のアプリケーションにより近いものです。これらのテストは、コンポーネントが量産されリコールが発生する前の、早い段階でドリフトなどの障害を検出するのに役立ちます。しかし、具体的な実装には新たな課題も生じます。これらのテストを大規模なバッチ用に拡張し、障害メカニズムを正確に把握して効果的なモデルを開発することは依然として困難です。NIはパワー半導体デバイスの安全性および信頼性を確保するために、コンポーネントテストおよび認定のための最新のテスト方法と実装に関するガイダンスを提供します。