DGSテストで新しい障害の影響を特定する
動的ゲート応力テストは、SiCやGaNデバイスを評価するのに役立ちます。
- 従来のテスト方法では確認できない障害の影響を特定して、シミュレーションする
- テスト手順を実際のアプリケーションとより密接に調整し、顧客に正確に説明する
- 高速電圧シフトを利用して、ゲートでの障害メカニズムを誘発させる
- その場での測定により、ゲート酸化膜への動的ゲート応力の長期的影響を示す関連パラメータを決定する
- 完全に自動化されたテストは、業界からの膨大な要件をカバーし、詳細なデータ解析のためのレポートを提供する
NI SET DGSパワー半導体テストシステム
DGSテストシステムは、業界からの膨大な要件を自動化された動的テストに変換し、変化する要件に迅速に対応する柔軟性を重視しています。
DGSテストシステムは、刺激テストに加えて、定義された時間内に関連パラメータを決定するための多数のその場での測定も行います。
その場での測定は、ゲート酸化膜への動的ゲート応力の長期的影響を効率的に示し、顧客に正確な説明を提供することを可能にします。
ソリューションの利点
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20℃～200℃の高温/低温プレート温度で最大240のDUTをサポートします。
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最大1.5 kVの高電圧ドレイン刺激と最大1500 Vの最大ドレイン電圧 (どちらもソフトウェアで設定可能) を提供します。
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最大1 V/nsのゲートの高いdV/dt刺激、ソフトウェアで最大±30Vまでの電圧を設定可能です。
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0 Hz～500 kHzの間の出力周波数、25%～75%のデューティーサイクル (5%刻み) が設定可能です。
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アプリケーション特化したゲートドライバを使用したテストにより、ターゲットを絞った評価が可能です。
パワー半導体のローラーコースター:ドリフトしますか?(DGS)
ワイドバンドギャップ半導体テストの課題
副社長・技術責任者のFrank Heidemann氏は、電圧変化でゲートに負荷をかけてワイドバンドギャップ半導体のVthとRDS(on) のドリフトを引き起こすトラッピング効果を生み出す方法について説明します。これは、これらのコンポーネントの効率損失を明らかにするために重要です。
NIのエコシステムでソリューションを構築する
NIでは、アプリケーション固有の要件に合わせてカスタマイズされた、さまざまなソリューション統合オプションを提供しています。社内で統合チームを組織してシステムを完全に統括することも、NIと世界各地のNIパートナーネットワークの専門技術を活用したターンキーソリューションをご利用いただくことも可能です。
NIパートナーネットワークは、ドメイン、アプリケーション、および全体的なテスト開発エキスパートがNIと緊密に連携してエンジニアリングコミュニティのニーズを満たすグローバルコミュニティです。NIパートナーは、信頼できるソリューションプロバイダ、システムインテグレータ、コンサルタント、製品開発者、幅広い産業やアプリケーション分野に精通したサービスおよび販売チャネルの専門家です。
NIは、トレーニング、技術サポート、コンサルティングと統合サービス、メンテナンスプログラムによって、アプリケーションのライフサイクル全体を通してお客様との緊密な関係を築きます。お客様のチームは、NIの地域別ユーザグループに参加することで新たなスキルを発見でき、オンライントレーニングおよび対面型トレーニングで習熟度を高めることができます。
NIパートナーは、日本アライアンスプログラムに参加しているシステムインテグレータを中心としたパートナー企業で、代理店の関係は有していません。また、NIとのいかなる取引関係にも属しません。