ワイドバンドギャップパワー半導体の信頼性テスト
従来のテストでは特定の新規欠陥の影響を特定できないため、炭化ケイ素 (SiC) および窒化ガリウム (GaN) で構成されるワイドバンドギャップパワー半導体では、特定の用途に合わせた新しいテスト方法が必要です。これらの半導体は実際の使用環境で特定の影響を受けるため、適格性評価においてギャップが生じます。このギャップは、AQG 324の定義に従い、動的高湿度高温逆バイアス (H3TRB) または動的逆バイアス (DRB) を適用することで埋めることが可能です。
NI SETダイナミックH3TRBおよびDRBパワー半導体テストシステム
温度と湿度が一定の設定では、DUTは立ち上がりの速い高電圧ピークを持つダイナミックドレイン刺激にさらされます。電圧のシフトは磁界に急激な変化をもたらし、腐食に影響を与えます。この手順は、DUTの劣化 (場合によっては絶縁材料の劣化も) を加速し、DUTの実際の動作条件に最も近いものとなります。
このテストは、SiCおよびGaNのディスクリートコンポーネントまたはモジュール寿命について明確に説明するための前提条件です。ダイナミックH3TRB/AC-HTC/DRBテストシステムの主要パラメータ:
- システムあたり最大240 DUTチャンネルに対応、Vdsと最大ドレイン電圧は最大1500 V
- 漏れ電流測定、過電流保護、電圧制御などの単一のDUT機能を有効化
- 完全に自動化されたテスト手順とともに、DUTアクティブおよびDUTパッシブの両テストモードをサポート
- 0 Hz～500 kHzの間で構成可能な出力周波数、25%～75%のデューティーサイクル設定を5%刻みで提供
- 最高85℃、相対湿度85%の環境条件下で動作し、AC-HTCなどのオプションのテストが利用可能
ソリューションの利点
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強化されたテスト条件により、動的応力評価に温度と湿度サイクルを追加
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変化する要件に素早く対応できる柔軟性
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独自の信頼性コンプライアンスは、他のテストではカバーされない太陽光発電業界の信頼性要件に特化
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オプションのAC-HTCテストバリアントは、特殊なアプリケーションシナリオに合わせて調整済み
パワー半導体のローラーコースター:DRB (ダイナミック逆バイアス)
NIのエコシステムでソリューションを構築
NIでは、アプリケーション固有の要件に合わせてカスタマイズされた、様々なソリューション統合オプションを提供しています。独自の社内統合チームでシステムを完全制御することも、NI、および世界中のNIパートナーネットワークが持つ専門技術を生かしてターンキーソリューションをご利用いただくことも可能です。
NIパートナーネットワークは、ドメイン、アプリケーション、および全体的なテスト開発エキスパートがNIと緊密に連携してエンジニアリングコミュニティのニーズを満たすグローバルコミュニティです。NIパートナーは、信頼できるソリューションプロバイダ、システムインテグレータ、コンサルタント、製品開発者、幅広い産業やアプリケーション分野に精通したサービスおよび販売チャネルの専門家です。
NIは、トレーニング、技術サポート、コンサルティングと統合サービス、メンテナンスプログラムによって、アプリケーションのライフサイクル全体を通してお客様との緊密な関係を築きます。お客様のチームは、NIの地域別ユーザグループに参加することで新たなスキルを発見でき、オンライントレーニングおよび対面型トレーニングで習熟度を高めることができます。