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パワー半導体デバイステスト認定

認定試験所のエンジニアは、新しく設計されたパワー半導体DUTに関する広範なデータを収集して、故障を検出し、デバイスを適格に評価します。デバイスの検証後、エンジニアは製造中にDUTの高品質を維持し、細部よりもスループットを重視する必要があります。半導体テストおよび認定ソリューションは、以下の要件を満たす必要があります:

 

アプリケーション要件

 

  • テスト機能および特徴 (統合全自動読み取り機能、特性評価、単一DUTテンパリング、および温度制御など)―これは、認定中に貴重な洞察を得るために不可欠です
  • DUTチャンネルの拡張性と、狭いスペースで大量のDUTをテストする能力―これは、継続的な生産におけるDUTの再確認に不可欠です
  • 認定段階と生産段階の両方を通じて一貫した正確なデータ収集を保証する、テスト装置の高精度と信頼性

H(3)TRBおよびHTGBテストシステム

高性能テストシステム:

  • 統合された全自動の読み取り/特性評価 (Rth、Vgs(th)、Vds、Vf、Vbreakdownなど) により、障害発生時にDUTを接続解除し、カードを交換するだけで機能をアップグレードできる
  • 電流レンジを電流レンジの130%までクランプし、ラッチ型DUTで20 ms以内に電流レンジを切り替える
  • Tjの周囲温度制御、および最大±0.25℃の調節確度を備えた温度用シングルDUT

大容量テストシステム:

  • 拡張可能な19インチラックで最大960 DUTをサポート、さらに、80 DUTの倍数の独立したテストおよび240 DUTの倍数の独立した環境パラメータ
  • すべての共通オーブンおよび恒温槽とのインタフェース
  • 最大2000 V、4 mA/DUT、および±40 Vのゲート電圧を処理するHTGB用のソースおよびゲートの電流を測定

ソリューションメリット

高性能および大容量テストシステムは、幅広いテスト機能、高電圧/電流オプション、複数のDUTを個別に管理できる拡張性と柔軟性のあるテスト機能を提供し、正確で信頼性の高い結果を保証します。

HTBGおよびH3TRBテスト実行する注意事項参照ください。

H3TRBからテスト絶縁バリア

NIのパワー半導体研究責任者であるGabriel Lieser氏がHTGBおよびH3TRBテストについて詳細に説明します。特に広いバンドギャップのコンポーネントについて、これらのテストを行う際の重要な注意事項について説明し、最終製品におけるさまざまな用途の重要性を強調します。

NIエコシステムお客様ソリューション構築する

NIでは、アプリケーション固有の要件に合わせてカスタマイズされた、さまざまなソリューション統合オプションを提供しています。社内で統合チームを組織してシステムを完全に統括することも、NIと世界各地のNIパートナーネットワークの専門技術を活用したターンキーソリューションをご利用いただくことも可能です。

NIパートナーネットワーク

NIパートナーネットワークは、ドメイン、アプリケーション、および全体的なテスト開発エキスパートがNIと緊密に連携してエンジニアリングコミュニティのニーズを満たすグローバルコミュニティです。NIパートナーは、信頼できるソリューションプロバイダ、システムインテグレータ、コンサルタント、製品開発者、幅広い産業やアプリケーション分野に精通したサービスおよび販売チャネルの専門家です。

サービスとサポート

NIは、トレーニング、技術サポート、コンサルティングと統合サービス、メンテナンスプログラムによって、アプリケーションのライフサイクル全体を通してお客様との緊密な関係を築きます。お客様のチームは、NI独自の地域別ユーザグループに参加することで新たなスキルを発見でき、さらに、オンライントレーニングおよび対面型トレーニングで習熟度を高めることができます。

H(3)TRBおよびHTGBテストシステムパンフレット​​

​詳細な仕様、コンポーネントに関する総合的な洞察などを弊社パンフレットでご覧いただけます。弊社の拡張性に優れ、高性能な大容量のテストシステムをご紹介します。