El uso de componentes de amplia banda prohibida y los desafíos de la calificación están aumentando exponencialmente. Los semiconductores de potencia de SiC y GaN introducen nuevos efectos de falla, lo que resulta en desafíos de pruebas adicionales. Las pruebas dinámicas como DGS, H3TRB dinámico o DRB están más cerca de la aplicación real. Estas pruebas ayudan a detectar fallas como desviaciones en una etapa temprana antes de que el componente entre en producción en serie y provoque retiros del mercado. Sin embargo, también ofrecen nuevos desafíos en la implementación concreta. Escalar estas pruebas para lotes más grandes y capturar con precisión los mecanismos de falla para desarrollar modelos efectivos sigue siendo un desafío. Proporcionamos los últimos métodos de prueba y orientación sobre su implementación para pruebas y calificación de componentes para garantizar la seguridad y fiabilidad de sus dispositivos de semiconductores de potencia.