Identifique nuevos efectos de falla con pruebas DGS
Las pruebas de esfuerzo de compuerta dinámica ayudan a los ingenieros a calificar los dispositivos de SiC y GaN.
- Identificar y simular efectos de fallas que no son visibles con los métodos de prueba tradicionales
- Alinear los procedimientos de las pruebas más estrechamente con las aplicaciones reales y explicarlos con precisión a sus clientes
- Utilizar cambios rápidos de voltaje para estimular los mecanismos de falla en la compuerta
- Las medidas en sitio determinan los parámetros relevantes para mostrar los efectos a largo plazo del esfuerzo de compuerta dinámica en el óxido de la puerta
- Las pruebas totalmente automatizadas cubren los requisitos extendidos de la industria y proporcionan informes detallados para un mayor análisis de datos
Sistema de pruebas de semiconductores de potencia NI SET DGS
El sistema de pruebas DGS convierte los requisitos extendidos de la industria en pruebas dinámicas automatizadas, enfatizando la flexibilidad para adaptarse rápidamente a los cambiantes requisitos.
Además de los estímulos, el sistema de pruebas DGS también ofrece numerosas medidas en sitio para determinar parámetros relevantes en un período de tiempo definido.
Las medidas en sitio muestran de manera eficiente los efectos a largo plazo del esfuerzo de compuerta dinámica en el óxido de la puerta y explicar con precisión a sus clientes.
Ventajas de la solución
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Soporta hasta 240 DUTs con temperaturas de placa fría/caliente que van desde 20 °C a 200 °C.
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Ofrece estímulos de drenaje de alto voltaje de hasta 1.5 kV y voltaje de drenaje máximo de hasta 1500 V, ambos configurables por software.
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Cuenta con altos estímulos dV/dt de la compuerta de hasta 1 V/ns, con voltajes configurables por software de hasta ±30 V máx.
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Proporciona frecuencias de salida configurables de 0 Hz a 500 kHz, con configuraciones de ciclo de trabajo que van del 25% al 75% en pasos del cinco%.
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Permite realizar pruebas con controladores de compuerta específicos de la aplicación para evaluaciones específicas.
Montaña rusa de semiconductores de potencia: ¿Se desviará? (DGS)
Desafíos de las pruebas de semiconductores de amplia banda prohibida
Frank Heidemann, VP & Technology Leader, explica cómo estresar la compuerta con cambios de voltaje para crear efectos de atrapamiento, causando desviaciones de Vth y RDS (on) en semiconductores de banda ancha, lo cual es crucial para revelar pérdidas de eficiencia en estos componentes.
DESARROLLE SU SOLUCIÓN CON EL ECOSISTEMA DE NI
NI ofrece una variedad de opciones de integración de soluciones personalizadas para los requisitos específicos de su aplicación. Puede utilizar sus propios equipos internos de integración para el control total del sistema o aprovechar la experiencia de NI y nuestra red NI Partner Network a nivel mundial para obtener una solución lista para usar.
La red NI Partner Network es una comunidad global de expertos en la materia, aplicaciones y desarrollo de pruebas en general que trabajan en estrecha colaboración con NI para satisfacer las necesidades de la comunidad de ingenieros. Los socios de NI son proveedores confiables de soluciones, integradores de sistemas, consultores, desarrolladores de productos y expertos en servicios y canales de ventas capacitados en una amplia gama de industrias y áreas de aplicación.
NI colabora con clientes durante el ciclo de vida de una aplicación, proporcionando capacitación, soporte técnico, servicios de consultoría e integración y programas de mantenimiento. Los equipos pueden descubrir nuevas habilidades al participar en grupos de usuarios geográficos y específicos de NI y desarrollar habilidades con formación y capacitación en línea y en persona.
Un partner de NI es una entidad comercial independiente de NI y no tiene agencia o relación de empresa conjunta con NI y no forma parte de ninguna asociación comercial con NI.