Se necesitan nuevos métodos de pruebas adaptados a aplicaciones específicas para semiconductores de potencia de amplia banda prohibida elaborados con carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN), ya que las pruebas tradicionales no identifican ciertos efectos de falla novedosos. Debido a que tienen una influencia en la aplicación real, esta brecha de calificación se cierra con la polarización inversa dinámica (H3TRB) de alta humedad y alta temperatura o la polarización inversa dinámica (DRRB) de acuerdo con la definición de AQG 324.
En un entorno con temperatura y humedad constantes, el DUT está expuesto a estímulos de drenaje dinámico con picos de alto voltaje con un rápido incremento de voltaje. Los cambios de voltaje conducen a cambios rápidos del campo magnético, que tienen un impacto en la corrosión. El procedimiento acelera el deterioro del DUT y posiblemente también de los materiales de aislamiento y es el más cercano a las condiciones operativas del mundo real del DUT.
Esta prueba es un prerrequisito para hacer declaraciones sólidas sobre la vida útil de los componentes o módulos discretos de SiC y GaN. Parámetro clave del sistema de pruebas H3TRB/AC-HTC/DRB dinámicos:
Las condiciones de prueba mejoradas incorporan ciclos adicionales de temperatura y humedad en la evaluación de estrés dinámico
La flexibilidad para cubrir rápidamente los cambiantes requisitos
El cumplimiento de fiabilidad única cumple específicamente con los requisitos de fiabilidad de la industria solar, que no están cubiertos por otras pruebas
La variante de prueba AC-HTC opcional está diseñada para escenarios de aplicaciones especiales
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