Zuverlässigkeitstest für Leistungshalbleiter
Profitieren Sie von den neuesten Testtechnologien
Als einer der Technologieführer im Bereich der dynamischen Tests von Leistungshalbleitern ist NI bestrebt, den sich wandelnden Anforderungen der Branche gerecht zu werden. Mit unserer großen Erfahrung und durch die Zusammenarbeit mit Kunden, Hochschulen und Industriegruppen wie ECPE AQG 324 und JEDEC JC-70 wollen wir durch die Definition von Teststandards zur Sicherheit der Mobilität in der Zukunft beitragen. Unser Power Semiconductor Reliability Round Table bietet eine wertvolle Plattform für den Wissensaustausch und den industriellen Fortschritt.
EMPFOHLENE LÖSUNG
Zuverlässigkeitstest für Leistungshalbleiter – DGS
Siliziumcarbid-(SiC-) und Galliumnitrid-(GaN-)Leistungshalbleiter erfordern neue dynamische Testverfahren, da unsichtbare Fehlermechanismen in Materialien mit breiter Bandlücke reale Anwendungen beeinträchtigen. Dynamische Gate-Stresstests schließen diese Lücke und übertreffen statische Testmethoden mit einem stärkeren Anwendungsfokus.
Erweiterte DGS-Tests für SiC- und GaN-Halbleiter
Anwendungsorientiertes Testen
Der Einsatz von Komponenten mit breiter Bandlücke und die Herausforderungen der Qualifizierung nehmen exponentiell zu. SiC- und GaN-Leistungshalbleiter führen zu neuen Fehlereffekten, was zusätzliche Testherausforderungen mit sich bringt. Dynamische Tests wie DGS, dynamische H3TRB oder DRB sind näher an der realen Anwendung. Diese Tests helfen, Fehler wie Drifts frühzeitig zu erkennen, bevor das Bauteil in Serie geht und zu Rückrufen führt. Sie sorgen aber auch für neue Herausforderungen bei der konkreten Implementierung. Die Skalierung dieser Tests auf größere Chargen und die genaue Erfassung von Fehlermechanismen zur Entwicklung effektiver Modelle bleibt eine Herausforderung. Wir bieten die neuesten Testmethoden und Anleitungen zu deren Implementierung für Komponententests und -qualifizierung, um die Sicherheit und Zuverlässigkeit Ihrer Leistungshalbleitergeräte zu gewährleisten.
Ergänzende Produkte und Lösungen
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Die Umstellung der Automobilindustrie auf Elektrofahrzeuge und ADAS erfordert neue Halbleitertests aufgrund fortgeschrittener technischer Anforderungen, was zu Umstrukturierungen der Lieferketten und Strategien bei Zulieferern und OEMs führt. Diese Änderung beinhaltet die Umstellung auf Halbleiter mit breiter Bandlücke und stellt strenge Teststandards in den Vordergrund.