Erkennen neuer Fehlerauswirkungen mit DGS-Tests
Dynamische Gate-Stresstests helfen technischen Fachkräften, SiC- und GaN-Geräte zu qualifizieren.
- Erkennen und Simulieren von Fehlerauswirkungen, die mit herkömmlichen Testmethoden nicht sichtbar sind
- Bessere Anpassung von Testverfahren an reale Anwendungen und Bereitstellen präziser Anweisungen für Ihre Kunden
- Nutzung schneller Spannungsverschiebungen, um Fehlermechanismen am Gate zu stimulieren
- Bestimmung relevanter Parameter durch In-situ-Messungen, um die langfristigen Auswirkungen von dynamischem Gate-Stress (DGS) auf das Gate-Oxid aufzuzeigen
- Vollautomatische Tests decken die erweiterten Anforderungen der Industrie ab und bieten detaillierte Berichte für die weitere Datenanalyse
NI SET DGS – Leistungshalbleiter-Testsystem
Das DGS-Testsystem wandelt die erweiterten Anforderungen aus der Industrie in automatisierte dynamische Tests um, wobei die Flexibilität zur schnellen Anpassung an sich verändernde Anforderungen im Vordergrund steht.
Neben Stimuli bietet das DGS-Testsystem auch zahlreiche In-situ-Messungen, um relevante Parameter in einem definierten Zeitraum zu bestimmen.
In-situ-Messungen zeigen effizient die langfristigen Auswirkungen dynamischer Gate-Belastung auf das Gate-Oxid und ermöglichen präzise Aussagen für Ihren Kunden.
Vorteile der Lösung
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Unterstützt bis zu 240 Prüflinge mit Heiz-/Kühlplattentemperaturen zwischen 20 °C und 200 °C.
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Bietet Hochspannungs-Drain-Stimuli mit bis zu 1,5 kV und maximale Drain-Spannung von bis zu 1.500 V, beide softwarekonfigurierbar.
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Bietet hohe dV/dt-Stimuli des Gates bis 1 V/ns, mit softwarekonfigurierbaren Spannungen bis ± 30 V max.
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Bietet konfigurierbare Ausgangsfrequenzen von 0 Hz bis 500 kHz mit Tastgradeinstellungen von 25 Prozent bis 75 Prozent in Fünf-Prozent-Schritten.
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Ermöglicht Tests mit anwendungsspezifischen Gate-Treibern für gezielte Bewertungen.
Leistungshalbleiter-Achterbahn: Wird es einen Drift geben? (DGS)
Herausforderungen beim Testen von Halbleitern mit breiter Bandlücke
Frank Heidemann, VP & Technology Leader, erklärt, wie das Gate mit Spannungsänderungen belastet wird, um Einklemmauswirkungen zu erzeugen, die Vth- und RDS(on)-Drifts in Halbleitern mit breiter Bandlücke verursachen, was entscheidend ist, um Effizienzverluste in diesen Bausteinen aufzudecken.
ERSTELLEN SIE IHRE LÖSUNG MIT DEM NI-ÖKOSYSTEM
NI bietet eine Vielzahl von Optionen zur Lösungsintegration, die auf Ihre anwendungsspezifischen Anforderungen zugeschnitten sind. Für maximale Systemkontrolle können Sie Ihre eigenen internen Integrationsteams mit der Implementierung beauftragen oder das Know-how von NI und unser weltweites NI Partner Network nutzen, um eine schlüsselfertige Produktlösung zu erhalten.
Das Partnernetzwerk von NI ist ein weltweiter Zusammenschluss von Experten für die Entwicklung von Domänen, Anwendungen und Tests im Allgemeinen, die eng mit NI zusammenarbeiten, um den Anforderungen der technischen Fachwelt gerecht zu werden. NI-Partner sind zuverlässige Anbieter von Produktlösungen, Systemintegratoren, Berater, Produktentwickler sowie Experten für Dienstleistungen und Vertriebskanäle, die über Erfahrungen in einer Vielzahl von Branchen und Anwendungsbereichen verfügen.
NI arbeitet während der gesamten Nutzungsdauer einer Anwendung mit den Auftraggebern zusammen und bietet Schulungen, technische Unterstützung, Beratungs- und Integrationsdienste sowie Wartungsprogramme an. Teams können durch die Teilnahme an NI-eigenen und regional ausgerichteten Benutzergruppen neue Fähigkeiten entdecken und ihre Kenntnisse durch Online- und Vor-Ort-Schulungen weiterentwickeln.
Ein NI Partner ist ein von NI unabhängiges Unternehmen, das keine Agentur- oder Joint-Venture-Beziehungen unterhält und nicht Teil einer Geschäftsverbindung mit NI ist.