Test de fiabilité des semi-conducteurs de puissance à large bande passante

Dans un environnement avec une température et une humidité constantes, le DUT est exposé à des stimuli de drainage dynamiques avec des pics de tension élevés et une augmentation rapide de la tension. Les variations de tension entraînent des changements rapides du champ magnétique, ce qui favorise la corrosion. Cette procédure accélère la détérioration du DUT et éventuellement des matériaux d’isolation. Elle permet de se rapprocher le plus possible des conditions de fonctionnement réelles du DUT.

Ce test est une condition préalable à la publication de déclarations solides sur la durée de vie des composants ou modules discrets en SiC et GaN. Paramètre clé du système de test dynamique H3TRB/AC-HTC/DRB :

• Peut accueillir jusqu’à 240 voies DUT par système, avec des Vds et une tension de drain maximale allant jusqu’à 1500 V
• Offre des fonctionnalités pour un seul DUT, notamment la mesure du courant de fuite, la protection contre les surintensités et le contrôle de la tension
• Prend en charge les modes de test actif et passif du DUT, ainsi qu’une procédure de test entièrement automatisée
• Offre une fréquence de sortie configurable de 0 Hz à 500 kHz et la possibilité de paramétrer le rapport cyclique de 25 % à 75 % par incréments de 5 %
• Fonctionne dans des conditions environnementales jusqu’à 85 °C et 85 % d’humidité relative, avec des tests optionnels tels que AC-HTC disponibles

Dans cette vidéo, Gabriel Lieser de NI se concentre sur le DRB, un test de fiabilité pour les dispositifs à large bande passante. Découvrez les deux façons de réaliser ce test de fiabilité pour les composants en SiC et GaN ainsi que les éléments à prendre en compte lors de la mise en place et de la réalisation du test.