스트레인 게이지로 변형률을 측정할 수 있습니다. 스트레인 게이지는 디바이스에 가해지는 변형률에 비례하여 전기 저항이 달라지는 디바이스이며, 신호 컨디셔닝 기능도 가지고 있습니다. 스트레인 게이지를 사용할 때, 스트레인 게이지를 테스트 중인 디바이스에 연결하고, 힘을 가한 후 저항(Ω)의 변화를 감지하여 변형률을 측정합니다. 스트레인 게이지는 물질의 스트레스나 진동에 대한 응답으로 변화된 전압을 반환합니다. 스트레인 게이지의 일부에서 저항의 변화는 물질의 변형을 나타냅니다. 스트레인 게이지에는 구동, 일반적으로 전압 구동, 전압 측정의 선형화가 필요합니다.

변형률 측정에서 몇 마이크로스트레인(µε) 이상의 양이 관련되는 경우는 거의 없습니다. 그러므로 변형률을 측정할 때는 저항의 매우 작은 변화도 정확하게 측정할 수 있어야 합니다. 예를 들어, 테스트 시편이 500 µε의 큰 변형률을 보일 때 게이지 인자가 2인 스트레인 게이지의 전기 저항 변화는 2 × (500 × 10 -6 ) = 0.1%에 불과합니다. 120 Ω의 경우, 이는 불과 0.12 Ω에 해당합니다.

저항에서 이렇게 작은 변화를 측정하고 온도 감도를 보완하기 위해, 스트레인 게이지는 전압 또는 전류 구동 소스에서 여러 브리지 설정 중 하나에서 지정된 Wheatstone 브리지를 사용하는 경우가 많습니다. 게이지는 Wheatstone 브리지의 모든 활성 요소의 집합입니다.

NI-DAQmx는 축 방향 변형률, 굽힘 변형률, 양쪽 모두 측정을 지원합니다. 비틀림 변형률을 측정할 때에도 일부 비슷한 설정 타입을 사용할 수 있으나, NI 소프트웨어 스케일링은 이러한 설정 타입을 지원하지 않습니다. NI 제품을 사용하여 비틀림 변형률을 측정할 수는 있으나, 이러한 설정 타입을 올바르게 스케일하려면 반드시 브리지(V/V)에 사용자 스케일을 사용하거나 구동 채널에 사용자 전압을 사용해야 합니다.

게이지 인자

스트레인 게이지의 기본 파라미터는 변형률에 대한 민감도로, 양적으로 게이지 인자(GF)로 표현됩니다. 게이지 인자는 전기 저항의 부분 변화에 대한 길이의 부분 변화의 비율, 즉 변형률입니다. 게이지 인자는 브리지의 각 게이지에서 같아야 합니다.

금속성 스트레인 게이지의 게이지 인자는 일반적으로 약 2입니다. 특정한 스트레인 게이지의 실제 게이지 인자는 센서 제조업체에 문의하거나 센서 관련 문서를 참조하십시오.

공칭 게이지 저항

공칭 게이지 저항은 전혀 변형되지 않은 상태에 대한 스트레인 게이지의 저항입니다. 특정한 게이지의 공칭 게이지 저항은 센서 제조업체에 문의하거나 센서 관련 문서를 참조하십시오.